Процесс вычислений в оперативной памяти MRAM
Компания Samsung первой в мире реализовала процесс вычислений в оперативной памяти MRAM.
Магниторезистивная оперативная память имеет потенциал заменить привычную DRAM, имея множество преимуществ. Однако, когда дело доходит до вычислений непосредственно в памяти, есть ряд проблем.
Как сказано в научной работе учёных Samsung, разработка массива магниторезистивной памяти с произвольным доступом с передачей спинового момента остается сложной задачей, несмотря на практические преимущества технологии. Сложность связана с низким сопротивлением MRAM, что привело бы к большому энергопотреблению в обычном матричном массиве, использующем суммирование тока для аналоговых операций умножения-накопления. Компания создала массив перемычек 64 х 64, основанный на ячейках MRAM, который преодолел проблему низкого сопротивления благодаря архитектуре, использующей суммирование сопротивлений для аналоговых операций умножения-накопления. Массив интегрирован со считывающей электроникой на основе 28-нанометровой технологии КМОП. Используя этот массив, был реализован двухуровневый перцептрон для классификации 10 000 рукописных цифр с точностью 93,23%. В эмуляции более глубокой восьмислойной нейронной сети Visual Geometry Group-8 с измеренными ошибками точность классификации повышается до 98,86%. Также Samsung использовала массив для реализации одного слоя в десятислойной нейронной сети, и в задаче распознавания лиц была достигнута точность 93,4%.
Разработка Samsung может позволить использования вычисления в памяти MRAM для создания ИИ, в том числе в качестве платформы для имитации мозга путем моделирования связей синапсов мозга.
Источник: ixbt.com